特許
J-GLOBAL ID：201003072590098113

窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法

発明者：
筆田 麻祐子

筆田 麻祐子 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-183517
公開番号（公開出願番号）：特開2010-027643
出願日： 2008年07月15日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：
【課題】PN接合部分のショートや電流リークが低減され、光取り出し効率が高く、製造歩留まりが高く、かつ信頼性の高い窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】導電性基板と接合層と窒化物半導体層とをこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、上記接合層と上記窒化物半導体層との間にはさらに絶縁層を有し、上記絶縁層の表面内に、上記窒化物半導体層の上記接合層側の面の外周部が接していることを特徴とする窒化物半導体発光素子であって、上記窒化物半導体層は、少なくとも、第二n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、発光層と、第一n型窒化物半導体層とを導電性基板側からこの順に含むことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性基板と接合層と窒化物半導体層とをこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、前記接合層と前記窒化物半導体層との間にはさらに絶縁層を有し、前記絶縁層の表面内に、前記窒化物半導体層の前記接合層側の面の外周部が接していることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ,  H01L 33/36
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L33/00 E
Fターム (19件)：
5F041AA03 ,  5F041AA25 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB02 ,  5F041CB04 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (8件)
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