特許

J-GLOBAL ID：201603016726816799

半導体装置の製造方法

発明者： 岡本 直也 ,  佐藤 明徳 ,  藤本 泰史 ,  毛受 利彰 ,  山田 忠知 ,  河崎 仁彦
出願人/特許権者： リンテック株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人樹之下知的財産事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-266140
公開番号（公開出願番号）：特開2016-127116
出願日： 2014年12月26日
公開日（公表日）： 2016年07月11日
要約：

【課題】複数の半導体チップに分割する工程、並びに複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程において、整列状態の乱れを防止できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体ウエハWの第一の面W1に半導体ウエハWの厚さよりも浅い切込み深さの溝W5を形成する工程と、溝W5が形成された第一の面W1に第一の粘着シート10を貼付する工程と、半導体ウエハWの第二の面W6を研削して半導体ウエハWの厚さを薄くし、複数の半導体チップCPに分割する工程と、第二の面W6を研削して現れた第三の面W3に第二の粘着シートを貼付する工程と、第一の粘着シート10を剥離する工程と、前記第二の粘着シートを引き延ばして複数の半導体チップCP同士の間隔を拡げる工程と、を備える半導体装置の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの第一の面に前記半導体ウエハの厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成する工程と、 前記溝が形成された前記第一の面に第一の粘着シートを貼付する工程と、 前記第一の粘着シートが貼付された第一の面とは反対面である第二の面を研削して前記半導体ウエハの厚さを薄くし、前記半導体ウエハを複数の半導体チップに分割する工程と、 前記第二の面を研削して現れた第三の面に第二の粘着シートを貼付する工程と、 前記第一の粘着シートを剥離する工程と、 前記第二の粘着シートを引き延ばして前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える 半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/683 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/56

FI (4件)：

H01L21/78 Q ,  H01L21/68 N ,  H01L23/12 501P ,  H01L21/56 R

Fターム (43件)：

5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA21 ,  5F061CA22 ,  5F061CB03 ,  5F063AA01 ,  5F063AA31 ,  5F063BA18 ,  5F063BA20 ,  5F063BA42 ,  5F063BA43 ,  5F063CB02 ,  5F063CB05 ,  5F063CB24 ,  5F063CB30 ,  5F063DD01 ,  5F063DD64 ,  5F063DD69 ,  5F063DD89 ,  5F063DD90 ,  5F063DF12 ,  5F063DG12 ,  5F063DG13 ,  5F063DG24 ,  5F063DG34 ,  5F063EE07 ,  5F063EE22 ,  5F063EE43 ,  5F063EE44 ,  5F063EE73 ,  5F063EE86 ,  5F131AA02 ,  5F131AA22 ,  5F131BA52 ,  5F131BA53 ,  5F131CA33 ,  5F131DA14 ,  5F131EC32 ,  5F131EC34 ,  5F131EC53 ,  5F131EC62 ,  5F131EC73 ,  5F131EC75

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-051544   出願人：リンテック株式会社
• 発光ダイオードの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-012804   出願人：シチズン電子株式会社, シチズンホールディングス株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-014810   出願人：シャープ株式会社