表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-133240
公開番号（公開出願番号）：特開2016-186655
出願日： 2016年07月05日
公開日（公表日）： 2016年10月27日
要約：

【課題】同一基板上の画素回路及び駆動回路を該回路の特性にそれぞれ合わせた構造の異なるトランジスタで形成し、表示特性の優れた表示装置を提供する。【解決手段】同一基板上に画素部と駆動回路部を有し、該駆動回路部は、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層が金属膜によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用トランジスタを有する。また、当該画素部は、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され、且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用トランジスタを有する。該画素用トランジスタは透光性を有する材料で形成されており、高開口率の表示装置を作製することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

同一基板上に画素部と、駆動回路部と、を有し、前記画素部は、第1のゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に前記第1のゲート電極層と一部が重なる第1のソース電極層及び第1のドレイン電極層と、前記ゲート絶縁層上に前記第1のソース電極層及び前記第1のドレイン電極層と一部が重なる第1の酸化物半導体層と、を含む第1のトランジスタと、前記第1のソース電極層、前記第1のドレイン電極層、及び前記第1の酸化物半導体層上に第1の酸化物絶縁層と、前記第1の酸化物絶縁層上に前記第1のドレイン電極層と電気的に接続する接続電極層と、前記第1の酸化物絶縁層及び接続電極層上に第2の酸化物絶縁層と、前記第2の酸化物絶縁層上に保護絶縁層と、前記保護絶縁層上に前記接続電極層と電気的に接続する画素電極層と、を有し、前記駆動回路部は、第2のゲート電極層と、前記第2のゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に第2の酸化物半導体層と、前記第2の酸化物半導体層上に該酸化物半導体層と一部が重なる第2のソース電極層及び第2のドレイン電極層と、を含む第2のトランジスタと、前記第2のソース電極層、第2のドレイン電極層、及び前記第2の酸化物半導体層上に第2の酸化物絶縁層と、前記第2の酸化物絶縁層上に保護絶縁層と、を有し、前記第1のゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記第1の酸化物半導体層、前記第1のソース電極層、前記第1のドレイン電極層、前記第1の酸化物絶縁層、前記第2の酸化物絶縁層、前記保護絶縁層及び前記画素電極層は透光性を有することを特徴とする表示装置。

IPC (4件)：

G09F 9/30 , G02F 1/136 , G02F 1/134 , H01L 29/786

FI (5件)：

G09F9/30 338 , G02F1/1368 , G02F1/1345 , H01L29/78 618B , H01L29/78 612B

Fターム (121件)：

2H092GA29 , 2H092GA59 , 2H092JA24 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JB24 , 2H092JB33 , 2H092JB57 , 2H092JB58 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA19 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092NA07 , 2H092NA22 , 2H192AA24 , 2H192BA13 , 2H192BA25 , 2H192BB02 , 2H192BB13 , 2H192BB53 , 2H192BC24 , 2H192BC26 , 2H192BC33 , 2H192CB06 , 2H192CB37 , 2H192CC04 , 2H192CC22 , 2H192CC33 , 2H192CC62 , 2H192DA13 , 2H192DA42 , 2H192DA72 , 2H192EA43 , 2H192EA67 , 2H192FA14 , 2H192FA65 , 2H192FA73 , 2H192FB03 , 2H192FB05 , 2H192FB27 , 2H192GD14 , 2H192JA64 , 5C094AA10 , 5C094AA21 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094FA02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094FB20 , 5F110AA01 , 5F110AA02 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP13 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜トランジスタ及びその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-038428 出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-250902 出願人：キヤノン株式会社
酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-139532 出願人：キヤノン株式会社

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