特許
J-GLOBAL ID：200903008966790519

非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット

発明者：
矢野 公規

矢野 公規 について

, 
井上 一吉

井上 一吉 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-078996
公開番号（公開出願番号）：特開2008-243928
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】インジウム、錫、亜鉛の量を適正化することにより、リン酸系エッチング液に不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に可溶な非晶質酸化物半導体薄膜や、その製造方法などの提供を目的とする。【解決手段】画像表示装置1は、ガラス基板10、光制御素子としての液晶40、この液晶40を駆動するためのボトムゲート型薄膜トランジスタ1、画素電極30及び対向電極50を備えており、ボトムゲート型薄膜トランジスタ1の非晶質酸化物半導体薄膜2は、キャリア密度が10+18cm-3未満であり、さらに、リン酸系エッチング液に対して不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に対して可溶である。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
キャリア密度が10+18cm-3未満であり、さらに、リン酸系エッチング液に対して不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に対して可溶であることを特徴とする非晶質酸化物半導体薄膜。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/306 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30 ,  H01L 21/363 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/08
FI (9件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/306 B ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/363 ,  C23C14/34 A ,  C23C14/08 D
Fターム (65件)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092KA05 ,  2H092MA02 ,  2H092MA18 ,  2H092NA21 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  5C094AA31 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F043AA18 ,  5F043BB18 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103RR10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ05
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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