特許
J-GLOBAL ID：201603018153162333
Cu-Gaスパッタリングターゲット及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-062675
公開番号（公開出願番号）：特開2014-185384
特許番号：特許第6007840号
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 Cu単体領域と、
前記Cu単体領域に隣接し、少なくともCu及びGaを含有するGa含有領域と、
を有し、
前記Cu単体領域及び前記Ga含有領域の総質量に対するGa含有率が20質量%乃至65質量%であり、
スパッタリングされるターゲット面と平行な任意の断面において前記Cu単体領域の面積率が8%以上であり、
前記Ga含有領域と前記Cu単体領域との間に形成される反応相におけるGaの濃度勾配が3.3質量%/μm以下であることを特徴とするCu-Gaスパッタリングターゲット。
IPC (6件)：
C23C 14/34 ( 200 6.01)
, C22C 9/00 ( 200 6.01)
, C22C 47/08 ( 200 6.01)
, C22C 47/20 ( 200 6.01)
, B22D 19/00 ( 200 6.01)
, B22D 19/16 ( 200 6.01)
C23C 14/34 A
, C22C 9/00
, C22C 47/08
, C22C 47/20
, B22D 19/00 B
, B22D 19/16 Z
