特許

J-GLOBAL ID：201603018496046622

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-060767
公開番号（公開出願番号）：特開2015-146444
特許番号：特許第6023836号
出願日： 2015年03月24日
公開日（公表日）： 2015年08月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、 前記ゲート絶縁膜上の側壁絶縁層と、 前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極層と、 前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたドレイン電極層と、を有し、 前記ソース電極層は、前記側壁絶縁層に接する領域を有し、 前記ドレイン電極層は、前記側壁絶縁層に接する領域を有し、 前記側壁絶縁層は、酸素が添加された領域を有する半導体装置の作製方法であって、 前記ゲート電極をマスクとして前記酸化物半導体膜にタングステンを添加した後、前記側壁絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (16件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 27/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8244 ( 200 6.01) ,  H01L 27/11 ( 200 6.01)

FI (14件)：

H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/08 102 E ,  H01L 27/08 102 H ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/50 M ,  H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 441 ,  H01L 27/10 381

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-277272   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-295899   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 薄膜トランジスタおよび表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-152754   出願人：ソニー株式会社