特許
J-GLOBAL ID：201603018544631320
窒化物半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-160244
公開番号（公開出願番号）：特開2014-022584
特許番号：特許第5876386号
出願日： 2012年07月19日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 GaNからなる第1基板の上に六方晶系の窒化ホウ素またはInNxOy(0≦x,y≦1、xおよびyは同時に0ではない)からなる分離層を形成する第1工程と、
前記分離層の上に窒化物半導体からなる複数の半導体層を結晶成長して半導体積層構造を形成する第2工程と、
前記半導体積層構造の上に第2基板を貼り付ける第3工程と、
前記半導体積層構造と前記第1基板とを前記分離層で分離する第4工程と、
前記半導体積層構造に残っている前記分離層に第3基板を貼り付ける第5工程と、
前記半導体積層構造より前記第2基板を剥離する第6工程と、
前記第3基板の上に配置されている前記半導体積層構造より半導体装置を作製する第7工程と
を少なくとも備えることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/02 ( 200 6.01)
H01L 21/20
, H01L 21/02 B
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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