特許
J-GLOBAL ID：201603018735498336
リフトオフ方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-101535
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229508
特許番号：特許第5996254号
出願日： 2012年04月26日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 エピタキシー基板の表面にGaを含むGa化合物からなるバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を、移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、
光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合金属層を介して移設基板を接合する移設基板接合工程と、
移設基板が接合された光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、エピタキシー基板とバッファー層との境界面にガス層を形成するガス層形成工程と、
該ガス層形成工程によってエピタキシー基板とバッファー層との境界面に形成されたガス層のうち最外側に位置するガス層の領域を検出するガス層検出工程と、
エピタキシー基板における該ガス層検出工程によって検出された最外側のガス層が位置する領域に吸引パッドを位置付けてエピタキシー基板を吸着するエピタキシー基板吸着工程と、
エピタキシー基板を吸着した該吸引パッドをエピタキシー基板から離反する方向に移動してエピタキシー基板を剥離し、光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設工程と、を含む、
ことを特徴とするリフトオフ方法。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ( 201 0.01)
, B23K 26/00 ( 201 4.01)
H01L 33/32
, B23K 26/00 H
