特許
J-GLOBAL ID：200903037789696590
金属支持膜を使用した縦方向デバイスの製作方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-585155
公開番号（公開出願番号）：特表2005-522875
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
GaN LED(120)のような半導体デバイスを、サファイアのような絶縁基板(122)上に製作する方法。半導体層(60)は、通常の技術を使用して絶縁基板上に作られる。誘導結合プラズマ反応性イオンエッチングによって、個々のデバイスの境界を画定するトレンチ(124)が、半導体層を通して絶縁基板中に形成されるのが好ましい。第1の支持構造(200)が半導体層に取り付けられる。さらに、レーザリフトオフによって、硬い基板を除去するのが好ましい。硬い基板は、好ましくは導電性である第2の支持構造(240)で置き換えられ、第1の支持構造が除去される。次に、好ましくは第2の支持構造を通してエッチングして、個々のデバイスはダイシングされる。保護フォトレジスト層(250)は、第1の支持構造が付着しないように半導体層を保護することができる。導電性下部コンタクト(192)(場合によっては、反射性)を、第2の支持構造と半導体層の間に挿入することができる。
請求項（抜粋）：
縦形デバイスであって、
第1の表面および第2の表面を有する導電性付着構造体と、
前記第1の表面に形成された導電性厚膜支持体と、
上部電気コンタクトを有する、前記導電性付着層の上に位置づけされた半導体デバイスとを備え、
前記導電性厚膜と前記上部電気コンタクトの間を電流が流れることができる縦形デバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA77
, 5F041CA85
, 5F041CA87
, 5F041CB15
