特許
J-GLOBAL ID：201603019103501583
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-012993
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153049
特許番号：特許第5888555号
出願日： 2012年01月25日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、
前記半導体基板表面に形成された素子分離領域と、
前記半導体基板の一主面に沿って形成されたN型のウェル領域と、
前記ウェル領域内に形成されたP型のソース領域及びドレイン領域と、
前記P型のソース領域及びドレイン領域の間の前記半導体基板の表面に形成されたゲート酸化膜と、
前記ゲート酸化膜上にフローティングゲートと、
前記フローティングゲートの表面に形成された第二の絶縁膜と、
前記フローティングゲートと前記第二絶縁膜を介して容量的に結合しているコントロールゲートと、
前記コントロールゲートに接続された、一端が前記コントロールゲートだけに直接接続され、他端が前記コントロールゲートに電位を与える電源に接続された、前記コントロール電極が有する容量により前記電位の変化を遅延させるための抵抗素子と、
を有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
, H01L 21/8247 ( 200 6.01)
, H01L 27/115 ( 200 6.01)
, H01L 27/10 ( 200 6.01)
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
, H01L 27/10 481
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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