特許
J-GLOBAL ID：201603019503924823

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
郷戸 宏充

郷戸 宏充 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-013422
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169611
特許番号：特許第5924953号
出願日： 2012年01月25日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、トランジスタと、を有し、 前記第1の絶縁層は、第1のトレンチと、第2のトレンチと、を有し、 前記トランジスタは、 前記第1のトレンチの底面及び内壁面に接する領域を有する酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上にゲート電極と、を有し、 前記ゲート絶縁層は、前記第2のトレンチの底面及び内壁面に接する領域を有し、 前記ゲート電極は、前記第1のトレンチ内を充填する領域を有し、 前記第2の絶縁層は、前記第2のトレンチ内を充填する領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (14件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H01L 29/49 ( 200 6.01)
FI (19件)：
H01L 29/78 626 Z ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 441 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 671 C ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 27/10 671 B ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/44 L ,  H01L 29/58 G
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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