半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：池田憲保 , 福田修一 , 佐々木敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-172423
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004738
出願日： 2006年06月22日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】半導体装置の微細化に伴うトランジスタのショートチャネル対策として、トレンチゲートTrが開発されている。しかしながら、トレンチゲートTrはゲート電極と基板間の対向面積が増加するため、ゲート電極の寄生容量が大きくなるという問題がある。【解決手段】本発明のトレンチゲートTrは、溝の内部に第1のゲート電極と第2のゲート電極とを備えている。Trのチャネルとなる溝下部には、基板との間にゲート酸化膜を介した第1のゲート電極を備える。Trの不純物拡散層と対向する溝部上部には、ゲート酸化膜と溝サイドウォール膜とを介した第2のゲート電極を備える。溝部上部のゲート電極と基板間をゲート酸化膜と溝サイドウォールとの複合膜とすることでゲート電極の寄生容量を小さくできる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された溝と、前記溝の下部にゲート絶縁膜を介して形成された第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極より上側にある溝上部の内壁に設けられたサイドウォールと、前記サイドウォールと前記第1のゲート電極の上面の一部とに接するように形成された第2のゲート電極とを有するトレンチゲートトランジスタを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 21/823 , H01L 27/088

FI (4件)：

H01L29/78 301V , H01L27/10 621C , H01L27/10 671Z , H01L27/08 102C

Fターム (109件)：

5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA19 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BB20 , 5F048BC01 , 5F048BC06 , 5F048BD01 , 5F048BD07 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F083AD04 , 5F083AD10 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083AD56 , 5F083GA03 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083LA21 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR25 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083ZA05 , 5F140AA11 , 5F140AA21 , 5F140AA39 , 5F140AB09 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BB05 , 5F140BB06 , 5F140BC15 , 5F140BE02 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF14 , 5F140BF15 , 5F140BF18 , 5F140BF20 , 5F140BF43 , 5F140BG09 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG19 , 5F140BG20 , 5F140BG22 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BG38 , 5F140BG40 , 5F140BG44 , 5F140BG49 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH06 , 5F140BH15 , 5F140BJ04 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ08 , 5F140BJ10 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BJ18 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK16 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK27 , 5F140BK29 , 5F140CB04 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC20 , 5F140CE07 , 5F140CE20

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-253094 出願人：ソニー株式会社
電界効果トランジスタを含む半導体素子及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-168764 出願人：三星電子株式会社

審査官引用 (9件)

特開平3-087069
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-109774 出願人：株式会社東芝
特開昭62-136877

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