特許
J-GLOBAL ID：201603019772023395
半導体装置の製造方法及び電子装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 毅巖
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-031402
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168541
特許番号：特許第5903920号
出願日： 2012年02月16日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 支持体上に粘着層を配設する工程と、
前記粘着層上に半導体素子を配設する工程と、
前記半導体素子が配設された前記粘着層上に樹脂層を配設し、前記粘着層上に前記半導体素子及び前記樹脂層を含む基板を形成する工程と、
前記基板を前記粘着層から当該粘着層の上方に剥離する工程と
を含み、
前記粘着層は、前記基板が剥離される方向の粘着力が、前記基板が形成される面方向の粘着力よりも弱い
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/60 ( 200 6.01)
H01L 23/12 501 P
, H01L 21/60 311 Q
