特許
J-GLOBAL ID：201603020222061034

半導体光素子を作製する方法

発明者：
北村 崇光

北村 崇光 について

, 
八木 英樹

八木 英樹 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-240410
公開番号（公開出願番号）：特開2014-089403
特許番号：特許第5942785号
出願日： 2012年10月31日
公開日（公表日）： 2014年05月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体光素子を作製する方法であって、 マッハツェンダ変調器を有する半導体チップのための複数の区画を含む区画配列を作製するウエハサイズを決定する工程と、 前記ウエハサイズを有するウエハ上の第1配列構造の配列上に塗布された埋込用樹脂の膜厚を測定して、該膜厚の面内分布を得る工程と、 前記ウエハサイズを有するウエハ上の第2配列構造の配列上に塗布された埋込用樹脂の厚さを測定して、埋込用樹脂厚とトレンチ幅との相関関係を得る工程と、 前記ウエハサイズを有するウエハ上の埋込用樹脂のエッチングレートを測定して、該エッチングレートの面内分布を測定する工程と、 前記膜厚の面内分布、前記エッチングレートの面内分布及び前記相関関係を用いて、導波路メサを規定するトレンチ幅を前記区画配列内の区画の各々において決定して、ウエハ上におけるトレンチ幅マップを形成する工程と、 前記ウエハサイズを有する素子用ウエハと、該素子用ウエハ上に当該マッハツェンダ変調器のための導波路構造のための半導体積層とを有するエピタキシャル基板上に、前記トレンチ幅マップに基づくトレンチ幅のパターンを有するマスクを形成する工程と、 前記マスクを用いて前記半導体積層をエッチングして、当該マッハツェンダ変調器のアーム導波路のための導波路メサを規定するトレンチの配列を含むトレンチ構造を形成する工程と、 前記トレンチ構造上に樹脂を塗布して、前記トレンチ構造を埋め込む工程と、 前記導波路メサへのコンタクト開口の配列を前記トレンチ構造上の前記樹脂のエッチングにより形成する工程と、 を備え、 前記第1配列構造は、あるトレンチ幅を有するトレンチにより規定され導波路のための半導体メサを含み、 前記第2配列構造は、互いに異なるトレンチ幅のトレンチにより規定され導波路のための半導体メサを含む、半導体光素子を作製する方法。
IPC (1件)：
G02F 1/025 ( 200 6.01)
FI (1件)：
G02F 1/025
引用特許：
出願人引用 (4件)
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