パッシベーション膜の製造方法、パッシベーション膜、それを用いた太陽電池素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-046592
公開番号（公開出願番号）：特開2016-167524
出願日： 2015年03月10日
公開日（公表日）： 2016年09月15日
要約：

【課題】キャリアライフタイムが長いパッシベーション膜を形成することができる形成剤、パッシベーション膜の製造方法、パッシベーション膜、それを用いた太陽電池素子に関する。【解決手段】ジアルキルアルミニウム、トリアルキルアルミニウム又はそれらの混合物からなるアルキルアルミニウム化合物、及び電子供与性を有しかつ活性水素原子を含有しない有機溶媒を含有する溶液からなるパッシベーション膜形成剤。このパッシベーション膜形成剤を平均粒径が1〜100μmの液滴にしてシリコン基材の裏面の少なくとも一部に塗布して塗膜を形成すること、及び形成した塗膜を、有機溶媒を乾燥後、または有機溶媒の乾燥と並行して、加熱して酸化アルミニウムとすることでパッシベーション膜を形成する、パッシベーション膜を有するシリコン基材の製造方法。この方法により製造されたパッシベーション膜を有するシリコン基板及びこのシリコン基板を用いた太陽電池素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ジアルキルアルミニウム、トリアルキルアルミニウム又はそれらの混合物からなるアルキルアルミニウム化合物(但し、ジアルキルアルミニウム及びトリアルキルアルミニウムが有するアルキル基は炭素数1〜6であり、同一又は異なってもよい)、及び、電子供与性を有しかつ活性水素原子を含有しない有機溶媒を含有するアルキルアルミニウム化合物含有溶液からなるパッシベーション膜形成剤。

IPC (2件)：

H01L 31/021 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L31/04 240 , H01L21/316 G

Fターム (16件)：

5F058BC03 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ03 , 5F151AA02 , 5F151AA03 , 5F151BA11 , 5F151CB12 , 5F151CB13 , 5F151DA03 , 5F151FA06 , 5F151FA14 , 5F151FA15 , 5F151GA04 , 5F151HA03 , 5F151HA20

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-237735 出願人：富士通セミコンダクター株式会社
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-086058 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

"Passivation of boron-doped p+-Si emitters in the (p+nn+)Si solar cell structure with AlOx grown by

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