半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-086058
公開番号（公開出願番号）：特開2012-227521
出願日： 2012年04月05日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタの作製工程において、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁膜、ゲート電極層、酸化アルミニウム膜を順に作成した後、酸化物半導体層および酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、かつ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体層を形成する。また、酸化アルミニウム膜を形成することにより、該トランジスタを有する半導体装置や電子機器の作製工程での熱処理でも大気から水や水素が酸化物半導体層に侵入し、拡散することを防止することができ、信頼性の高いトランジスタとすることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に接して酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層上にソース電極層およびドレイン電極層を形成し、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層上に接してゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上の前記酸化物半導体層と重なる領域にゲート電極層を形成し、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極層上に接して酸化アルミニウム膜を形成してトランジスタを作製し、前記トランジスタに対して熱処理を行い、前記酸化アルミニウム膜の膜厚は、50nmを超えて500nm以下である半導体装置の作製方法。

IPC (10件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/14

FI (11件)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 618B , H01L29/78 618F , H01L29/78 626C , H01L29/78 371 , H01L27/10 321 , H01L27/10 434 , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H01L29/78 627G

Fターム (171件)：

2H092GA35 , 2H092GA48 , 2H092GA51 , 2H092GA55 , 2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092JA25 , 2H092JA31 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA46 , 2H092JB57 , 2H092JB58 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA19 , 2H092KA22 , 2H092KB05 , 2H092KB14 , 2H092KB22 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA27 , 2H092NA21 , 2H092QA09 , 3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107CC11 , 3K107CC21 , 3K107CC23 , 3K107EE03 , 5F083AD01 , 5F083AD02 , 5F083AD21 , 5F083AD60 , 5F083AD69 , 5F083EP03 , 5F083EP23 , 5F083EP56 , 5F083GA06 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083LA21 , 5F083NA01 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR40 , 5F101BA12 , 5F101BA17 , 5F101BA19 , 5F101BA26 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BB08 , 5F101BC20 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BD35 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BH16 , 5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110AA21 , 5F110BB02 , 5F110BB05 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM03 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN74 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-273056 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタ搭載基板、その製造方法及び画像表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-150782 出願人：大日本印刷株式会社
半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079273 出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司

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