特許
J-GLOBAL ID：201603020805794501

半導体デバイス上のハイブリッド変圧器構造

発明者：
チィ・シュン・ロ

チィ・シュン・ロ について

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ジェ-シュン・ラン

ジェ-シュン・ラン について

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マリオ・フランシスコ・ヴェレツ

マリオ・フランシスコ・ヴェレツ について

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ジョンヘ・キム

ジョンヘ・キム について


出願人/特許権者：
クアルコム,インコーポレイテッド

クアルコム,インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 村山 靖彦 ,  黒田 晋平
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-543162
公開番号（公開出願番号）：特表2015-536572
出願日： 2013年11月21日
公開日（公表日）： 2015年12月21日
要約：
いくつかの新規の特徴は、複数の層を有する半導体ダイ内に形成されたハイブリッド変圧器に関する。ハイブリッド変圧器は、ダイの第1の層上に位置する巻線の第1の組を含む。第1の層は、ダイの基板よりも上に位置する。巻線の第1の組は、第1のポートおよび第2のポートを含む。巻線の第1の組は、第1のインダクタとして動作するように構成される。ハイブリッド変圧器は、ダイの第2の層上に位置する巻線の第2の組を含む。第2の層は、基板よりも上に位置する。巻線の第2の組は、第3のポート、第4のポート、および第5のポートを含む。巻線の第2の組は、第2のインダクタおよび第3のインダクタとして動作するように構成される。巻線の第1の組および巻線の第2の組は、垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成される。
請求項（抜粋）：
複数の層を有する半導体ダイ内に形成されたハイブリッド変圧器であって、 前記ダイの少なくとも第1の層上に位置する巻線の第1の組であって、前記第1の層は前記ダイの基板よりも上に位置し、前記巻線の第1の組は、第1のポートおよび第2のポートを含み、前記巻線の第1の組は、第1のインダクタとして動作するように構成される、巻線の第1の組と、 前記ダイの少なくとも第2の層上に位置する巻線の第2の組であって、前記第2の層は前記基板よりも上に位置し、前記巻線の第2の組は、第3のポート、第4のポート、および第5のポートを含み、前記巻線の第2の組は、第2のインダクタおよび第3のインダクタとして動作するように構成され、前記巻線の第1の組および前記巻線の第2の組は、垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成される、巻線の第2の組と を含む、ハイブリッド変圧器。
IPC (4件)：
H01F 19/06 ,  H01F 17/00 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (3件)：
H01F19/06 ,  H01F17/00 D ,  H01L27/04 L
Fターム (10件)：
5E070AA11 ,  5E070AB01 ,  5E070CB03 ,  5E070CB13 ,  5E070CB17 ,  5F038AZ04 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ19 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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