特許
J-GLOBAL ID：201603021461929204
低転位密度を有するSIC結晶
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
杉村 憲司
, 池田 浩
, 福井 敏夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-556014
公開番号（公開出願番号）：特表2016-508948
出願日： 2013年12月20日
公開日（公表日）： 2016年03月24日
要約：
SiC結晶を形成する方法であって、当該方法は、SiCの種を成長容器内に配置する工程と、成長容器を加熱する工程と、成長容器を真空排気する工程と、を含み、上記種は、温度及び圧力勾配、並びに種の成長面からと、種の縁部周辺と、種の背後空間へと流れるガス流の結果として浮揚され、前記ガス流は真空システムによってポンプ輸送される。
請求項（抜粋）：
SiC結晶を形成する方法であって、該方法が、
a.断熱された黒鉛製容器のシェルフ上に種結晶を配置し、それによって前記黒鉛製容器の天井と前記種の裏面との間の空間を画定する工程と、
b.ケイ素及び炭素原子源を前記断熱された黒鉛製容器内に配置する工程であって、前記ケイ素及び炭素原子源が前記SiC結晶を成長させるために前記種結晶へ輸送するためのものである、工程と、
c.前記黒鉛製容器を炉の内側に配置する工程と、
d.前記炉を真空排気し、80kPa(600トル)を超える圧力まで不活性ガスを充満する工程と、
e.前記炉を約2,000°C〜約2,500°Cの温度に加熱する工程と、
f.前記誘導炉を約0.01kPa〜約13kPa(約0.1トル〜約100トル)の圧力に真空排気し、その一方で前記種結晶の下から前記種結晶の周縁を通って前記黒鉛製容器の天井と前記種の裏面との間の空間の中心へガス流を向け、それによって前記種の裏面が前記天井に接触するのを防止しながら、前記ケイ素及び炭素原子源から前記種への気相輸送を促進する工程と、を含む、方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EA01
, 4G077EA04
, 4G077EB01
, 4G077EB06
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077EG11
, 4G077EG25
, 4G077GA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA04
, 4G077SA07
, 4G077SA12
