特許
J-GLOBAL ID：200903098179568760
炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶成長用基板と単結晶の加熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊藤 求馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401550
公開番号（公開出願番号）：特開2002-201097
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：
【要約】【課題】 マクロ欠陥の発生を確実に抑制できるようにし、高品質、長尺のSiC単結晶が製造できるようにすることを目的とする。【解決手段】 黒鉛製るつぼ1内にSiC原料粉末2とSiC種結晶3を配置し、SiC原料粉末2を加熱昇華させてSiC単結晶4を成長させる際に、SiC種結晶裏面に保護層5を設け、SiC種結晶3を容器るつぼ1に設けた保持部1dにより非接着で機械的に保持して、SiC種結晶3表面上にSiC単結晶4を成長させる。種結晶裏面の局所的な温度分布をなくし、保護層5の破損を抑制してマクロ欠陥の発生を抑制できる。
請求項（抜粋）：
容器内に、種結晶となる炭化珪素単結晶基板を配置し、炭化珪素原料を供給して前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、裏面に保護層を設けた前記炭化珪素単結晶基板を、前記容器壁に設けた保持部に非接着で機械的に保持し、前記炭化珪素単結晶基板の表面に前記炭化珪素原料を供給して、該表面上に炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
Fターム (10件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EG03
, 4G077EG04
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA12
