特許
J-GLOBAL ID：201603021468453906

SiC半導体デバイスの製造方法

発明者：
今井 文一

今井 文一 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 阪本 朗
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-082444
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211503
特許番号：特許第5928101号
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型または第1導電型と第2導電型が周期的に配置された構造を有する領域Aが、第2導電型が配置された領域B及び該領域Bの周囲に配置された濃度の異なる第2導電型の領域Cとに囲まれている構造を有し、さらに該領域Bおよび該領域Cの上に層間絶縁膜を有するSiC半導体基板上に、少なくとも前記領域Aを覆う第1の金属層とその上に形成された第2の金属層を有し、前記領域Aと前記第1の金属層の界面が、ショットキーコンタクトを形成し、前記第1の金属層および第2の金属層の外周端部が、前記第2導電型の領域B内にあり、前記第1の金属層が、チタンまたはチタン合金膜、ニッケルまたはニッケル合金膜,またはニッケルチタン合金膜の少なくとも一つを有する20nm〜200nmの厚さの膜であり、また、前記第2の金属層が、アルミニウムまたはアルミニウム合金膜であるSiC半導体デバイスにおいて、前記第1の金属層を第2の金属層で完全に被覆して該第1の金属層と第2の金属層のうちの第2の金属層の一部をドライエッチングで除去し前記SiC半導体基板下の電極は低抵抗のオーミックコンタクトを形成する第3の金属層を形成し、該第3の金属層にイオン化したアルゴンを衝突させて不純物除去し清浄化する逆スパッタ法で処理して、反応せずに残ったカーボンや残渣を除去してからチタン膜、ニッケル膜及び金膜をこの順に形成することを特徴とするSiC半導体デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 29/48 F ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/48 D
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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