半導体基板および半導体装置、半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (22件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 勝村紘 , 橋本良郎 , 風間鉄也 , 河井将次 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓 , 市原卓三 , 山下元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-306029
公開番号（公開出願番号）：特開2009-130266
出願日： 2007年11月27日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：

【課題】低抵抗SiC基板とそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】第1の不純物濃度を有する炭化珪素基板(1)と、前記炭化珪素基板上に形成され、第2の不純物濃度を有する第1の炭化珪素層(5)と、前記第1の炭化珪素層の上に形成され、第3の不純物濃度を有する第1導電型の第2の炭化珪素層(2)とを具備し、第2の不純物濃度>第1の不純物濃度>第3の不純物濃度の関係を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の不純物濃度を有する炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板上に形成され、第2の不純物濃度を有する第1の炭化珪素層と、前記第1の炭化珪素層の上に形成され、第3の不純物濃度を有する第1導電型の第2の炭化珪素層と、を具備し、第2の不純物濃度>第1の不純物濃度>第3の不純物濃度の関係を有することを特徴とする半導体基板。

IPC (9件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/06 , H01L 29/861

FI (10件)：

H01L29/48 D , H01L29/78 652T , H01L29/78 652G , H01L29/78 655B , H01L29/78 658Z , H01L29/78 658F , H01L29/48 F , H01L21/28 A , H01L29/06 301G , H01L29/91 F

Fターム (21件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD26 , 4M104DD79 , 4M104FF02 , 4M104FF10 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104FF34 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH15

引用特許：

出願人引用 (1件)

SiC基板、SiC半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-271419 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-121783 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-376140 出願人：新電元工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-344338 出願人：株式会社東芝

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