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J-GLOBAL ID:201702212177686066   整理番号:17A1814995

表面フッ素化によるシリコン基板と金属フィルムの間の高い接着強度

Enhanced Adhesion Strength between Silicon Substrate and Metal Film by Surface Fluorination
著者 (3件):
資料名:
巻: 46  号: 11  ページ: 1643-1645(J-STAGE)  発行年: 2017年 
JST資料番号: S0742A  ISSN: 0366-7022  CODEN: CMLTAG  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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シリコンウエハの表面を25°C,10-120分間,F2ガスで処理した。120分間フッ素処理したシリコンの表面粗さ(Ra)は無処理シリコンのそれ(3.2nm)より7倍大きかった。また,フッ素化シリコンの水接触角は7°まで低下した。シリコン基板上に析出したNi金属の接着強度は表面フッ素化によってシリコン基板の粗さの増大と親水性表面により高めることができた。(翻訳著者抄録)
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著者キーワード (3件):
分類 (2件):
分類
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固-固界面  ,  接着 
引用文献 (20件):
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