低温での軟X線照射によるSiO<sub>x</sub>中でのナノ結晶シリコンの生成

HEYA Akira; KUSAKABE Fumito; MATSUO Naoto; KANDA Kazuhiro; KOHAMA Kazuyuki; ITO Kazuhiro

文献

J-GLOBAL ID：201702214123394560 整理番号：17A0953395

低温での軟X線照射によるSiO_x中でのナノ結晶シリコンの生成

Formation of nanocrystalline silicon in SiO_x by soft X-ray irradiation at low temperature

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資料名：
巻： 56 号： 3 ページ： 035501.1-035501.5 発行年： 2017年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

SiO_xフィルム中でのナノ結晶Si(nc-Si)の低温生成は,シリコンベースのフォトニクスとメモリーの実現において主要技術の一つである。著者らは軟X線照射を用いた低温nc-Si生成法を提案した。nc-Si生成は,初期のSiO_x膜中のSi/O原子比に依存した。SiO_x膜中の0.67より高いSi/O原子比のSiが豊富な領域は,Si 2pの内核準位に近い光エネルギーの軟X線照射での電子励起を経た原子の移動によって結晶化した。20nmの平均サイズを持つnc-Siは,660°Cの低温でのX線照射によって生成した。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜

引用文献 (33件)：

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低温での軟X線照射によるSiOx中でのナノ結晶シリコンの生成

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