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J-GLOBAL ID：201702215373210427   整理番号：17A1811543

ScAlMgO₄基板上の厚いGaN膜のハロゲン化物気相エピタクシー,および,自立ウェハ製造用の自己分離

Halide vapor phase epitaxy of thick GaN films on ScAlMgO₄ substrates and their self-separation for fabricating freestanding wafers

著者 (6件)： OHNISHI Kazuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KANOH Masaya (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  TANIKAWA Tomoyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KUBOYA Shigeyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MUKAI Takashi (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MATSUOKA Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 10  ページ： 101001.1-101001.4  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ScAlMgO₄(SCAM)基板上での厚いGaN膜のハロゲン化物気相エピタクシーを実証し,その自己分離を実現した。成長後の冷却プロセス中,厚さが320μmのGaN膜を自己分離した。この分離現象は,SCAMのc面開裂性,および,GaNとSCAMとの間の熱膨張係数の違いによって発生した。SCAM基板上のGaN膜の暗点密度は,サファイヤ基板よりも約30%低かった。これらの結果は,SCAM基板が高品質の自立型GaNウェーハを低コストで製造するのに有望であることを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *厚膜 ,  エピタクシー ,  気相成長 ,  ハロゲン化物 ,  基板 ,  アルミン酸塩 ,  マグネシウム化合物 ,  スカンジウム化合物 ,  *分離 ,  熱膨張係数 ,  *ウエハ【IC】
準シソーラス用語： ハロゲン化物気相エピタクシー ,  *自己分離 ,  *自立ウェハ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (25件)：

• T. Kachi and T. Uesugi, Sens. Mater. 25, 219 (2013).
• W. Saito, T. Domon, I. Omura, M. Kuroguchi, Y. Takeda, K. Tsuda, and M. Yamaguchi, IEEE Electron Device Lett. 27, 326 (2006).
• S. Tomiya, H. Nakajima, K. Funato, T. Miyajima, K. Kobayashi, T. Hino, S. Kijima, T. Asano, and M. Ikeda, Phys. Status Solidi A 188, 69 (2001).
• J. Karpi?ski, J. Jun, and S. Porowski, J. Cryst. Growth 66, 1 (1984).
• S. Porowski and I. Gizegory, J. Cryst. Growth 178, 174 (1997).

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  ハロゲン化物 ,  気相エピタクシー ,  自立 ,  ウェハ製造 ,  自己