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J-GLOBAL ID：201302256835431460   整理番号：13A0711149

垂直GaNパワーデバイス応用のためのGaN基板の評価

Evaluation of GaN Substrate for Vertical GaN Power Device Applications

著者 (2件)： KACHI Tetsu (Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN) ,  UESUGI Tsutomu (Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 25  号： 3  ページ： 219-227  発行年： 2013年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Naフラックス法により作製したGaN基板上にPNダイオードを作製した。GaN基板上にエッジおよびミックス転位が発達しているのが見られた。転位密度が10⁵~10⁶cm^-2の範囲にある場合でさえ,これらの細糸状の転位は漏れ電流を生じなかった。これらの結果は,純粋な螺旋転位を含まないGaN基板を垂直パワーデバイスに用いることが可能なことを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  フラックス法 ,  転位密度 ,  螺旋転位 ,  *転位【結晶】
準シソーラス用語： パワーデバイス

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (14件)：

• 1 W. Saito, I. Omura, T. Ogura and H. Ohashi: Solid State Electron. 48 (2004) 1555.
• 2 M. Kanechika, M. Sugimoto, N. Soejima, H. Ueda, O. Ishiguro, M. Kodama, E. Hayashi, K. Itoh, T. Uesugi and T. Kachi: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L503.
• 3 M. Kodama, M. Sugimoto, E. Hayashi, N. Soejima, O. Ishiguro, M. Kanechika, K. Itoh, H. Ueda, T. Uesugi and T Kachi: Appl. Phys. Express 1 (2008) 021104.
• 4 M. Okada, Y. Saitoh, M. Yokoyama, K. Nakata, S. Yaegassi, K. Katayama, M. Ueno, M. Kiyama, T. Katsuyama and T. Nakamura: Appl. Phys. Express 3 (2010) 054201.
• 5 H. Otake, K. Chikamatsu, A. Yamaguchi, T. Fujishima and H. Ohta: Appl. Phys. Express 1 (2008) 011105.

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直 ,  GaNパワーデバイス ,  応用 ,  GaN ,  評価