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J-GLOBAL ID：201702216176355662   整理番号：17A1220967

ヘキサメチルジシランの分解による水素化非晶質炭化ケイ素膜の作製

Fabrication of hydrogenated amorphous silicon carbide films by decomposition of hexamethyldisilane with microwave discharge flow of Ar

著者 (6件)： ITO Haruhiko (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  KUMAKURA Motoki (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  SUZUKI Tsuneo (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  NIIBE Masahito (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  KANDA Kazuhiro (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  SAITOH Hidetoshi (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 6S2  ページ： 06HC01.1-06HC01.9  発行年： 2016年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,水素化非晶質炭化ケイ素膜を,Arのマイクロ波放電流によるヘキサメチルジシランの分解によって製造した。機械的に硬い膜を,高周波(RF)バイアス電圧を基板に印加することによって得られた。ラザフォード後方散乱と弾性反跳検出,X線光電子分光法(XPS),およびグロー放電発光分光法の組み合わせによって,膜の原子組成を分析した。化学構造を,炭素-K近端X線吸収微細構造分光法,高分解能XPS,フーリエ変換赤外吸収分光法などを用いて解析した。RFバイアス印加時の構造変化を調べ,膜表面近傍のO原子の濃度がこの膜の機械的硬度に重要な役割を果たすことが判明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *膜 ,  *マイクロ波放電 ,  *Rutherford後方散乱 ,  X線光電子分光法 ,  発光分光法 ,  *化学組成 ,  XANES ,  *硬度
準シソーラス用語： X線吸収端近傍微細構造 ,  *非晶質膜

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  気体放電  (BJ03020T) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

物質索引 (1件)： ヘキサメチルジシラン

引用文献 (37件)：

• S. R. P. Silva, J. Robertson, W. I. Milne, and G. A. J. Amartunga, Amorphous Carbon: State of the Art (World Scientific, Singapore, 1998) p. 237.
• W. Kulisch, Deposition of Diamond-Like Superhard Materials (Springer, Berlin, 1999) Chap. 1.
• H. Yoshihara, H. Mori, and M. Kikuchi, Thin Solid Films 76, 1 (1981).
• L. Thomas, L. Main?, J. M. Badie, and M. Ducarroir, Surf. Coatings Technol. 142-144, 314 (2001).
• A. Soum-Glaude, L. Thomas, E. Tomasella, J. M. Badie, and R. Berjoan, Surf. Coatings Technol. 200, 855 (2005).

タイトルに関連する用語 (7件)： ヘキサメチルジシラン ,  分解 ,  水素化 ,  非晶質 ,  炭化 ,  ケイ素膜 ,  作製