アモルファス In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのかさ密度とナノ孔構造への動作圧力とアニールの効果

IDE Keisuke; KIKUCHI Mitsuho; OTA Masato; SASASE Masato; HIRAMATSU Hidenori; KUMOMI Hideya; HOSONO Hideo; KAMIYA Toshio

文献

J-GLOBAL ID：201702218744694807 整理番号：17A0953414

アモルファス In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのかさ密度とナノ孔構造への動作圧力とアニールの効果

Effects of working pressure and annealing on bulk density and nanopore structures in amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 56 号： 3S ページ： 03BB03.1-03BB03.5 発行年： 2017年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

異なる密度のアモルファスIn-Ga-Zn-O(a-IGZO)薄膜の微細構造を分析した。デバイス-品質a-IGZO膜を最適条件で堆積した。例えば,全圧力Ptot= 0.55Paは,~6.1 g/cm³の高い膜密度を生じた,一方,非常に高いPtot= 5.0Paは5.5g/cm³の低い膜密度を生じた。両方の膜は,ガラス基板の近くでP tot に従い厚さ10-20nmの均一な高密度層を形成した,一方,形態はより厚い領域で希薄な円柱の構造に変わった。X線反射率とその場分光偏光解析は堆積後熱アニーによる,高密度化に異なる結果を提供した;すなわち,後者はより高い感度を持っていた。高角度環状暗視野スキャン透過電子顕微鏡によって得た高-Z-コントラスト画像は,デバイス-品質a-IGZO膜でさえナノメートル・サイズの非均一性を見つけることに役立った。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (30件)：

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