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J-GLOBAL ID：201702221298918791   整理番号：17A0953425

AlN中間層を有するm面N型ZnO/P型Siヘテロ接合からの発光

Light emission from an m-plane n-ZnO/p-Si heterojunction with an AlN interlayer

著者 (4件)： CHEN Chao (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  WANG Ti (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  XU Yang (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  AI Zhiwei (Wuhan Univ., Wuhan, CHN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 1  ページ： 011202.1-011202.4  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積により,AlN中間層の有る場合と無い場合について,無極性m面N型ZnO/P型Siヘテロ接合発光デバイスを作製した。X線光電子分光法を用いて,ZnO/AlN/Siヘテロ構造のエネルギーバンドアライメントを研究した結果,AlN中間層の電子阻止能が確認された。エレクトロルミネッセンスの結果は,AlN中間層を有するデバイスが,準白色光を放射することを明らかにした。本研究は,AlN中間層が,N型ZnO/P型Siヘテロ接合発光デバイスの性能を効果的に改善できることを示していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *層 ,  *N型半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  *薄膜 ,  *P型半導体 ,  *ケイ素 ,  *ヘテロ接合 ,  *発光 ,  化学蒸着 ,  非極性 ,  固体素子 ,  X線光電子分光法 ,  アラインメント ,  阻止能 ,  エレクトロルミネセンス ,  白色光
準シソーラス用語： AlN ,  *中間層 ,  ZnO ,  ZnO薄膜 ,  Si ,  原子層堆積 ,  無極性 ,  発光デバイス ,  エネルギーバンド ,  バンドアライメント ,  電子阻止能

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (27件)：

• H. Zeng, G. Duan, Y. Li, S. Yang, X. Xu, and W. Cai, Adv. Funct. Mater. 20, 561 (2010).
• J. B. You, X. W. Zhang, S. G. Zhang, H. R. Tan, J. Ying, Z. G. Yin, Q. S. Zhu, and P. K. Chu, J. Appl. Phys. 107, 083701 (2010).
• T. Wang, H. Wu, Z. Wang, C. Chen, and C. Liu, Appl. Phys. Lett. 101, 161905 (2012).
• E. Nannen, T. Kümmell, A. Ebbers, and G. Bacher, Appl. Phys. Express 5, 035001 (2012).
• J. H. Lim, C. K. Kang, K. K. Kim, I. K. Park, D. K. Hwang, and S. J. Park, Adv. Mater. 18, 2720 (2006).

タイトルに関連する用語 (5件)： AlN ,  中間層 ,  ZnO ,  P型Si ,  ヘテロ接合