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J-GLOBAL ID：201702221675759043   整理番号：17A0955218

ナノスケールのフィンFETロジック技術におけるゲートコンタクト抵抗ランダムアクセスメモリ

Gate contact resistive random access memory in nano scaled FinFET logic technologies

著者 (5件)： HSU Meng-Yin (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  SHIH Yi-Hong (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIH Yue-Der (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  LIN Chrong Jung (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  KING Ya-Chin (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CE05.1-04CE05.4  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度で低コストのロジック不揮発性メモリ(NVM)のため,余分のマスクあるいはプロセスステップを必要としないCMOSフィンFETロジックプロセスで,完全にロジックと互換性のある埋め込みゲートコンタクト抵抗ランダムアクセスメモリ(GC-RRAM)の開発に成功した。この新しいGC-RRAMセルはゲートコンタクトプラグからの遷移金属酸化物とその中間の層間誘電体(ILD),ゲートコンタクト,およびトップとボトムの電極としてのn型エピタキシャルドレイン端子から構成される。この特徴は,低い電圧動作とリセット電流,コンパクトなセルサイズ,および安定な読み出しウインドウである。好ましい埋め込みNVMの解として,コンパクトな1トランジスタ1抵抗(1T1R)セルはテクノロジーノードが進展するのでスケーラビリテイが高い。信頼性試験の結果,優れたデータ保持および繰り返し能力を実証した。これらの優れた特性により,GC-RRAMは将来のフィンFET回路用のロジックNVMの実行可能な候補の一つである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *FET【トランジスタ】 ,  論理回路 ,  *論理素子 ,  *ゲート【半導体】 ,  保持 ,  接触抵抗 ,  *CMOS ,  電圧 ,  電流 ,  信頼性
準シソーラス用語： *FinFET ,  データ保持 ,  低電圧 ,  リセット電流

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (32件)：

• K. P. Chang, W. C. Chien, Y. C. Chen, E. L. Lai, S. C. Tsai, H. S. Hui, Y. D. Yao, J. Gong, K. Y. Hsieh, R. Liu, and C. Y. Lu, presented at Int. Conf. Solid State Devices and Materials, 2008.
• L.-Y. Yang, M.-C. Hsieh, J.-S. Liu, Y.-W. Chin, and C. J. Lin, IEEE Electron Device Lett. 33, 245 (2012).
• Y. Z. Tang, Z. Fang, X. P. Wang, B. B. Weng, Z. X. Chen, and G. Q. Lo, IEEE Electron Device Lett. 35, 627 (2014).
• Y. Wu, B. Lee, and H.-S. P. Wong, presented at VLSI-TSA, 2010.
• A. Hazra, D. Acharyya, and P. Bhattacharyya, presented at ICE-CCN, 2013.

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  フィンFET ,  ロジック ,  ゲート ,  コンタクト ,  抵抗ランダムアクセスメモリ