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J-GLOBAL ID：201702222702672814   整理番号：17A0976117

Mg_2Siの特異な電子構造:多中心結合を持つ半導体の伝導バンド【Powered by NICT】

The Unique Electronic Structure of Mg₂Si: Shaping the Conduction Bands of Semiconductors with Multicenter Bonding

著者 (9件)： Mizoguchi Hiroshi (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan) ,  Muraba Yoshinori (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan) ,  Fredrickson Daniel C. (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan) ,  Fredrickson Daniel C. (Permanent address: Department of Chemistry, University of Wisconsin-Madison, 1101 University Avenue, Madison, WI, 53706, USA) ,  Matsuishi Satoru (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan) ,  Kamiya Toshio (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan) ,  Kamiya Toshio (Laboratory for Materials Research, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan) ,  Hosono Hideo (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan) ,  Hosono Hideo (Laboratory for Materials Research, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan)
資料名： Angewandte Chemie. International Edition  (Angewandte Chemie. International Edition)
巻： 56  号： 34  ページ： 10135-10139  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0127B  ISSN： 1433-7851  CODEN： ACIEAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 石型化合物Mg_2Siの電子構造は,短いカチオン-カチオン接触の副格子は非常に低い伝導帯最小を形成について述べた。Mg_2Siは意図的なキャリアドーピング無しでn型伝導率を示すので,この結果はカチオンにより定義されたケージは無機エレクトライドのものと類似していたキャリア輸送,12CaO7Al_2O_3:e~およびCa_2Nなどにおいて重要な役割を果たすことを示した。伝導帯最小Mg_2Siと等構造相Na_2S間の位置の明確な違いは,カチオン濃度とSi/S3s軌道の異なる相互作用強度のような因子によって説明され,Γ点で比較的低い伝導帯エネルギーに導く3sのよりコア様性質にも関係している。エレクトリドにこれらの結果と以前の研究に基づいて,アプローチは,半導体中の陽イオン副格子のエネルギー準位を制御するために考案された。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 導体 ,  *電子構造 ,  *ケイ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  伝導バンド ,  化合物半導体 ,  結晶構造 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： *ケイ化マグネシウム

著者キーワード (5件)： 導電性材料 ,  電子構造 ,  マグネシウム ,  semiconductors ,  シリコン

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電子構造 ,  伝導バンド