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J-GLOBAL ID：201702223188217389   整理番号：17A1810689

人工的に設計されたシードによって制御される粒界構造が転位発生に及ぼす影響

Effects of grain boundary structure controlled by artificially designed seeds on dislocation generation

著者 (3件)： IWATA Taisho (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKAHASHI Isao (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  USAMI Noritaka (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 7  ページ： 075501.1-075501.4  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,結晶シリコンインゴットの方向成長中の,転位発生に及ぼす粒界(GB)の誤配向およびGBエネルギーの変化の影響を調べた。この目的のために,人工的に設計されたシードを用いて2つのインゴットを成長させ,理想的な同時サイト格子境界からのミスオリエンテーションを,伴う/伴わない,複数のGBを導入した。そして,転位がΣ3GBからミスオリエンテーションを伴い,頻繁に発生することを明らかにした。一方,自然に形成された完璧なΣ3GBの周りには,転位はほとんど見られなかった。さらに,より高いGBエネルギーを有するΣ5およびΣ25GBは,ミスオリエンテーションに対して敏感ではなく,Σ25GBの周りにはほとんど転位が見出されないことがわかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *結晶粒界 ,  *転位【結晶】 ,  *結晶 ,  結晶成長 ,  *配向
準シソーラス用語： *格子転位 ,  *シリコン結晶 ,  ミスオリエンテーション

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (30件)：

• B. Moralejo, A. Tejero, V. Hortelano, O. Mart?nez, J. Jim?nez, and V. Parra, Phys. Status Solidi C 9, 2158 (2012).
• I. Guerrero, V. Parra, T. Carballo, A. Black, M. Miranda, D. Cancillo, B. Moralejo, J. Jim?nez, J. Leli?vre, and C. Ca?izo, Prog. Photovoltaics 22, 923 (2014).
• S. Zhou, C. Zhou, W. Wang, Y. Tang, J. Chen, B. Yan, and Y. Zhao, Int. J. Photoenergy 2013, 713791 (2013).
• Y. Miyamura, H. Harada, K. Jiptner, J. Chen, R. R. Prakash, S. Nakano, B. Gao, K. Kakimoto, and T. Sekiguchi, J. Cryst. Growth 401, 133 (2014).
• Q. Yu, L. Liu, W. Ma, G. Zhong, and X. Huang, J. Cryst. Growth 358, 5 (2012).

タイトルに関連する用語 (4件)： 人工 ,  設計 ,  粒界構造 ,  転位