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J-GLOBAL ID：201702223785447536   整理番号：17A1943082

パワーMOSFET近傍の寄生結合とコモンモード電圧の関係

Relation between parasitic coupling around power MOSFET and excitation of common-mode voltage

著者 (4件)： 松嶋徹 (京大 大学院工学研究科) ,  黒柳貴夫 (京大 大学院工学研究科) ,  久門尚史 (京大 大学院工学研究科) ,  和田修己 (京大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 317(EMCJ2017 59-63)  ページ： 13-18  発行年： 2017年11月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パワーエレクトロニクスに用いられるMOSFETのヒートスプレッダとヒートシンク間に存在する寄生結合により,回路にコモンモードの高周波結合経路が発生し,コモンモード電圧が励振されることを回路解析により示した。結合経路を制御するために,ハーフブリッジ回路の下側MOSFETにソース電極がヒートスプレッダと接続されているMOSFETを使用することで,数十MHz以下の周波数のコモンモード電流を低減可能であることを示した。さらに,MOSFET近傍の寄生結合と電源側配線のインダクタンスの値を調整し,インピーダンスバランス条件を満たすことで,数十MHz以上の周波数においてもコモンモード電圧が抑制される。SPICEシミュレーションによる計算により,100MHzまでの周波数帯において,MOSFET近傍の寄生結合を調整することで15dB以上の低減を確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  電力トランジスタ ,  電圧 ,  *電磁干渉 ,  電磁結合 ,  ディジタルシミュレーション ,  雑音低減
準シソーラス用語： EMI【電磁干渉】 ,  *コモンモード電圧 ,  干渉低減

分類 (1件)： 雑音一般  (ND04010J)

引用文献 (11件)：

• 馬淵雄一,中村 篤,林 亨,市川浩司,鵜生高徳,水野 広,′′ワイヤハーネスが接続された電子機器の電源系コモンモード電流発生メカニズム及び低減手法の検討,′′信学論(C),vol.J89-C,no.11,pp.1345-2827, Nov.2006.
• 松嶋 徹,李 愛花,馬淵雄一,和田修己,′′非接地導体を有するパッケージ用いたLSI電源系コモンモードノイズ低減手法,′′信学技報,EMCJ2012-22,第112巻, pp.7-12, EMCJ2012-22,大阪,June 2012.
• M. Shoyama, G. Li, and T. Ninomiya, ′′Balanced Switching Converter to Reduce Common-Mode Conducted Noise,′′ IEEE Trans. Ind. Electron., vol.50, no.6, pp.1095-1099, June 2003.
• L. Xing and J. Sun, ′′Conducted common-mode EMI reduction by impedance balancing,′′ IEEE Trans. Power Electron., vol.27, no.3, pp.1084-1089, March 2012.
• 高橋篤弘,塚田浩司,小島 崇,服部佳晋,舟木 剛,和田修己,′′DC-DCコンバータのFMラジオ帯のコモンモードノイズ発生メカニズム,′′信学論(B),vol.J99-B, no.3, pp.144-154, March 2016.

タイトルに関連する用語 (4件)： パワーMOSFET ,  近傍 ,  寄生 ,  コモンモード電圧