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J-GLOBAL ID：201702224372957668   整理番号：17A0471527

酸化けい素膜の形成のためのヘキサメチルジシロキサンから生じたフラグメントの低エネルギー質量選択イオンビームの生成【Powered by NICT】

Low-energy mass-selected ion beam production of fragments produced from hexamethyldisiloxane for the formation of silicon oxide film

著者 (5件)： Yoshimura Satoru (Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Sugimoto Satoshi (Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Murai Kensuke (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Kiuchi Masato (Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Kiuchi Masato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ikeda, Osaka 563-8577, Japan)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 313  ページ： 402-406  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フリーマン型イオン源におけるホットタングステンワイヤとヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)から生成した標題イオンを,低エネルギー質量選択イオンビーム装置を用いて研究した。フラグメントイオンの質量数を同定した。これらの断片の化学式はまだ完全には同定されなかったが,支配的なフラグメントイオンの可能な候補はH~+,H_2~+,H_3~+,C~+,CH_3~+,O~+,Si~+,C_3H_3~+,SiO~+,SiC_2~+,SiOCH_2~+,SiC_3H_9~+,Si_2OCH_3~+,Si_2OC_2H_7~+,Si_2OC_3H_9~+,Si_2OC_4H_11~+,とSi_2OC_5H_15~+であった。イオンフラグメント生成の速度はタングステン温度に強く依存した。これらフラグメントイオンの中で,SiO~+イオンは質量選択した。イオンエネルギーは約50eVであった。,SiO~+イオンは基板に照射し,得られた堆積膜を分析した。イオン照射実験終了後,膜のX線光電子分光法およびFourier変換赤外分光法測定は,酸化けい素堆積の発生を示した。基板への質量選択SiO~+イオン,HMDSOから得られた,照射した酸化けい素膜の安全な成長に有用であることを結論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  *イオン ,  タングステン ,  *イオンビーム ,  安全性 ,  質量数 ,  *酸化ケイ素 ,  イオン照射 ,  イオン源
準シソーラス用語： イオンエネルギー ,  フラグメントイオン ,  *低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： イオンビーム ,  フラグメント ,  ヘキサメチルジシロキサン ,  酸化けい素

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： ヘキサメチルジシロキサン

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化けい素膜 ,  ヘキサメチルジシロキサン ,  フラグメント ,  低エネルギー ,  質量 ,  イオンビーム