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J-GLOBAL ID：201702224978662302   整理番号：17A1020097

βFeSi_2エピタキシャル膜の電気伝導特性に及ぼす微細構造の影響【Powered by NICT】

Effect of microstructures on electrical conduction properties of β-FeSi₂ epitaxial films

著者 (5件)： Akiyama Kensuke (Kanagawa Industrial Technology Center, 705-1 Shimoimaizumi, Ebina, Kanagawa 243-0435, Japan) ,  Akiyama Kensuke (School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 228-8505, Japan) ,  Kadowaki Teiko (Kanagawa Industrial Technology Center, 705-1 Shimoimaizumi, Ebina, Kanagawa 243-0435, Japan) ,  Hirabayashi Yasuo (Kanagawa Industrial Technology Center, 705-1 Shimoimaizumi, Ebina, Kanagawa 243-0435, Japan) ,  Funakubo Hiroshi (School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 228-8505, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 744-748  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： がそれらの電気伝導特性に対する微細構造の寄与を明らかにするために,半絶縁性4H-SiC(001)単結晶上に成長させたエピタキシャルβFeSi_2膜のキャリア濃度とH all移動度を調べた。エピタキシャルβFeSi_2膜のこれらの電気伝導特性はその粒子サイズにより変化した。サイズが250~350nmの結晶粒から成る膜のHall移動度は結晶粒界により制限されたが,それは大きさが20~40μmの粗粒から成る膜の結晶粒界によって制限されるが,結晶粒内の欠陥により制限されなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Hall移動度 ,  単結晶 ,  移動度 ,  結晶粒界 ,  粒度 ,  *導電性 ,  *エピタクシー ,  結晶粒 ,  *微細構造 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 半絶縁性 ,  *エピタキシャル膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタキシャル膜 ,  電気伝導特性 ,  微細構造