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J-GLOBAL ID：201702225221290091   整理番号：17A0579463

陽極酸化処理によって作製されたフローティングシリコンワイヤの形状制御

Shape Control of Floating Si Wires Fabricated by Anodization

著者 (6件)： MOTOHASHI Mitsuya (Tokyo Denki Univ., Tokyo, JPN) ,  IMAIZUMI Takuya (Tokyo Denki Univ., Tokyo, JPN) ,  TAGUCHI Takatoshi (Tokyo Denki Univ., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI Toshiaki (JEOL, Tokyo, JPN) ,  YOSHINO Takayuki (Tokyo Denki Univ., Tokyo, JPN) ,  NIWA Masaaki (Tokyo Denki Univ., Tokyo, JPN)
資料名： 材料の科学と工学  (Materials Science and Technology of Japan)
巻： 54  号： 2  ページ： 65-69  発行年： 2017年04月20日 
JST資料番号： G0788A  ISSN： 1347-4774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らはフッ化水素とエタノールの混合物を用いた陽極酸化を使用して,予めエッチングされた転位を有するウエハ上に異なる厚み,形状および結晶タイプのシリコンワイヤを作製した。転位の溝輪郭制御は様々なワイヤ構成を可能にした。ワイヤの結晶性を結晶面選択によって制御した。これらのワイヤは(100)シリコンウエハの結晶面に形成された時,多孔質表面と結晶端を特徴とした。一方,(111)結晶面を有するウエハを用いた場合には,完全な多孔質のシリコンワイヤが形成された。また,将来のデバイス用途のためのこれらのワイヤの潜在的可能性をワイヤの結晶性に基づいて調べた。さらに,著者らはこれらの形状に基づいてこれらのワイヤの形成機構について議論した。ここでは,陽極酸化処理中のウエハ内のキャリア輸送が重要な役割を果たした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *陽極酸化処理 ,  *形状制御 ,  結晶度 ,  結晶方位 ,  多孔性 ,  輸送現象 ,  *ナノワイヤ ,  溝 ,  輪郭制御 ,  エッチング
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  シリコン(111) ,  シリコン(100) ,  *シリコンナノワイヤ ,  結晶性 ,  多孔質 ,  転位エッチング

分類 (4件)： 化成処理  (WC08050J) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

引用文献 (18件)：

• Z. Sheng, D. Dai and S. He, IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., 15, 1406 (2009)
• D. Bonneau, E. Engin, K. Ohira, N. Suzuki, H. Yoshida, N. Iizuka, M. Ezaki, C. M. Natarajan, M. G. Tanner, R. H. Hadfield, S. N. Dorenbos, V. Zwiller, J. L. O'Brien and M. G. Thompson, New J. Phys., 14, 045003 (2012)
• A. Zev, A. Karsenty, A. Chelly and Z. Zalevsky, IEEE Photo. Tech. Lett., 28, 569 (2016)
• A. Politi, M. J. Cryan, J. G. Rarity, S. Yu and J. L. O'Brien, Science, 320, 646 (2008)
• M. J. R. Heck, J. F. Bauters, M. L. Davenport, J. K. Doylend, S. Jain, G. kurczveil, S. Srinivasan, Y. Tang and J. E. Bowers, IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., 19, 6100117 (2013)

タイトルに関連する用語 (3件)： 陽極酸化処理 ,  作製 ,  形状制御