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J-GLOBAL ID：201702225425892448   整理番号：17A1907010

電子ビームリソグラフィにおける限界寸法への確率論的露光の影響

Effects of stochastic exposure on critical dimension in electron-beam lithography

著者 (6件)： Ji Hyesung (Department of Electrical and Computer Engineering, Auburn University, Auburn, Alabama 36849) ,  Lee Soo-Young (Department of Electrical and Computer Engineering, Auburn University, Auburn, Alabama 36849) ,  Choi Jin (Samsung Electronics, Mask Development Team, 16 Banwol-Dong, Hwasung, Kyunggi-Do 445-701, South Korea) ,  Kim Seom-Beom (Samsung Electronics, Mask Development Team, 16 Banwol-Dong, Hwasung, Kyunggi-Do 445-701, South Korea) ,  Shin In-Kyun (Samsung Electronics, Mask Development Team, 16 Banwol-Dong, Hwasung, Kyunggi-Do 445-701, South Korea) ,  Jeon Chan-Uk (Samsung Electronics, Mask Development Team, 16 Banwol-Dong, Hwasung, Kyunggi-Do 445-701, South Korea)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 6  ページ： 06G503-06G503-10  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 計算リソグラフィは,電子ビームリソグラフィプロセスの種々の最適化への一般的な手法である。多くの最適化問題における本質的工程はレジストにおける露光分布を推定することであり,典型的には点像分布関数(PSF)を用いた回路パターンの線量分布のコンボリューションを通して行われる。大部分の計算リソグラフィ法では決定論的PSFを採用するが,ショット雑音と電子散乱に起因して現実のPSFは確率論的である。確率論的露光から評価したフィーチャサイズは,対応する決定論的露光のそれとは大きく異なる可能性がある。この違いは,確率論的露光により引き起こされた粗い現像前線により,現像速度が実効的に大きくなるという事実に由来する。本研究では,確率論的露光が及ぼす限界寸法(ライン幅)への影響と,リソグラフィパラメータへのそれらの依存性を詳細に解析した。本論文では,広範なシミュレーションにより得られた結果を提示し十分に議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,  *長さ ,  *確率論 ,  *露光 ,  *表面粗さ ,  点像分布関数 ,  最適化問題 ,  ショット雑音 ,  電子散乱
準シソーラス用語： *限界寸法 ,  露光量 ,  *ライン幅粗さ

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  システム・制御理論一般  (IA02010H) ,  数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子ビームリソグラフィ ,  限界寸法 ,  露光