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J-GLOBAL ID：201702225866247454   整理番号：17A0685899

GaAs上の単層MoSe₂のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of monolayer MoSe₂ on GaAs

著者 (9件)： ONOMITSU Koji (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KRAJEWSKA Aleksandra (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KRAJEWSKA Aleksandra (On leave from Univ. Edinburgh, GBR) ,  NEUFELD Ryan A. E. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  NEUFELD Ryan A. E. (On leave from Univ. Waterloo, CAN) ,  MAEDA Fumihiko (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAEDA Fumihiko (Fukuoka Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  KUMAKURA Kazuhide (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMAMOTO Hideki (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 9  号： 11  ページ： 115501.1-115501.4  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲニド(TMDC)は,遷移金属とカルコゲン元素の組み合わせに依存して,多種多様な電子状態を提供するので魅力的である。MoSe₂は,MBE法により,原子的に平坦なSeで終端したGaAs(111)B表面上にエピタキシャル成長させた。GaAsの表面上のネイティブ酸化物層は,As照射を用いて580-630°Cでチャンバ内で基板を加熱することによって除去した。その後,基板温度をTs=610±10°Cに設定し,MEE(migration-enhanced epitaxy)法によりGaAsのホモエピタキシャル成長を行った。Se終端は,630°CでSeを同時に照射してウェーハを加熱することによって達成された。成長速度が極端に遅いMBE成長は,MoSe₂薄膜の厚さ,すなわち層数を精密に制御することができた。第2層が部分的に形成され,平均層数は分数となった。ウェーハの全領域にわたる膜の均一性を,532nm励起のラマン分光法によって調べた。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *セレン化物 ,  *モリブデン化合物 ,  *エピタクシー ,  *MBE成長 ,  酸化物 ,  Raman分光法
準シソーラス用語： GaAs ,  セレン化モリブデン ,  エピタキシャル成長 ,  MBE ,  自然酸化物 ,  MEE成長

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

引用文献 (22件)：

• J. A. Wilson and A. D. Yoffe, Adv. Phys. 18, 193 (1969).
• A. Koma, J. Cryst. Growth 201-202, 236 (1999).
• A. K. Geim and I. V. Grigorieva, Nature 499, 419 (2013).
• Q. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman, and M. S. Strano, Nat. Nanotechnol. 7, 699 (2012).
• A. M. van der Zande, P. Y. Huang, D. A. Chenet, T. C. Berkelbach, Y. You, G. Lee, T. F. Heinz, D. R. Reichman, D. A. Muller, and J. C. Hone, Nat. Mater. 12, 554 (2013).

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  単層 ,  エピタキシャル成長