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J-GLOBAL ID：201702226867164040   整理番号：17A0955312

走査型内部光電子放出顕微鏡を用いた3C-SiC層の二次元特性評価:ドメイン境界領域における電気特性と結晶品質のマッピング

Two-dimensional characterization of 3C-SiC layers using scanning internal photoemission microscopy: Mapping of electrical characteristics and crystal quality in domain boundary regions

著者 (4件)： SHIOJIMA Kenji (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  SHINGO Masato (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  ICHIKAWA Naoto (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  KATO Masashi (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CR06.1-04CR06.4  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni Schottkyコンタクトを形成し,走査型内部光電子放出顕微鏡を用いて,4H-SiC基板上への3C-SiC層エピタキシャル成長について特性評価した。試料表面は,平坦上部をもつ3C-SiCドメインで構成されている。コンタクト上にレーザービームの焦点を合わせ走査することで,光収率マップ中にドメインパターンを明確に可視化できる。赤・緑レーザーで測定した光収率マップを組み合わせて評価した結果,境界領域では平坦領域よりも高いSchottky障壁および,より小さな再結合が生じていることを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体金属接合 ,  Schottky障壁 ,  *炭化ケイ素 ,  *ニッケル ,  構造 ,  品質 ,  収率 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： *Schottky接合 ,  二次元構造 ,  結晶品質 ,  光収率

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (30件)：

• T. Ohshima, K. K. Lee, Y. Ishida, K. Kojima, Y. Tanaka, T. Takahashi, M. Yoshikawa, H. Okumura, K. Arai, and T. Kamiya, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L625 (2003).
• W. Grochala and P. Edwards, Chem. Rev. 104, 1283 (2004).
• I. Akkerman, M. Janssen, J. Rocha, and R. H. Wijffels, Int. J. Hydrogen Energy 27, 1195 (2002).
• K. Maeda and K. Domen, J. Phys. Chem. Lett. 1, 2655 (2010).
• A. Bard and M. Fox, Acc. Chem. Res. 28, 141 (1995).

タイトルに関連する用語 (10件)： 走査型 ,  光電子放出 ,  顕微鏡 ,  3C-SiC ,  特性評価 ,  ドメイン ,  境界領域 ,  電気特性 ,  結晶品質 ,  マッピング