文献

J-GLOBAL ID：200902261314723783   整理番号：03A0486565

立方晶炭化けい素上に作製した金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタに関する電気特性

The Electrical Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors Fabricated on Cubic Silicon Carbide

著者 (9件)： OHSHIMA T (Japan Atomic Energy Res. Inst. (JAERI), Gunma, JPN) ,  LEE K K (Japan Atomic Energy Res. Inst. (JAERI), Gunma, JPN) ,  ISHIDA Y (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KOJIMA K (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TANAKA Y (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TAKAHASHI T (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YOSHIKAWA M (Japan Atomic Energy Res. Inst. (JAERI), Gunma, JPN) ,  OKUMURA H (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ARAI K (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 6B  ページ： L625-L627  発行年： 2003年06月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： nチャネルの標題トランジスタを,3C-SiC基板上にエピタキ...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (14件)：

• 1) T. Ohshima, M. Yoshikawa, H. Itoh, Y. Aoki and I. Nashiyama: Mater. Sci. & Eng. B 61–62 (1999) 480.
• 2) K. K. Lee, T. Ohshima and H. Itoh: IEEE Trans. Nucl. Sci. 50 (2003) 194.
• 3) G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, K. McDonald, R. K. Chanana, R. A. Weller, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, O. W. Holland, M. K. Das and J. W. Palmour: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 176.
• 4) R. Kosugi, S. Suzuki, M. Okamoto, S. Harada, J. Senzaki and K. Fukuda: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 136.
• 5) R. Schorner, P. Friedrichs and D. Peters: IEEE Trans. Electron Devices 46 (1999) 533.

タイトルに関連する用語 (6件)： 立方晶 ,  炭化けい素 ,  作製 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  電気特性