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J-GLOBAL ID：201702228942913498   整理番号：17A1090418

Bossung傾斜へのEUV SRAFの影響

Impact of EUV SRAF on Bossung Tilt

著者 (7件)： WANG Yow-Gwo (Univ. California, CA, USA) ,  WANG Yow-Gwo (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  HSU Stephen (ASML Brion, CA, USA) ,  SOCHA Robert (ASML Brion, CA, USA) ,  NEUREUTHER Andy (Univ. California, CA, USA) ,  NEUREUTHER Andy (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  NAULLEAU Patrick (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10143  ページ： 1014320.1-1014320.7  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マスク3D(M3D)効果はEUVリソグラフィー(EUVL)の撮像性能に影響を及ぼす重要な問題である。本論文では,SRAF(sub resolution assist features)がBossung傾斜に及ぼす可能性のあるプラスの影響について議論し,M3D効果を緩和する光学的機構に関する物理的洞察を提供した。特に,δ関数双極照明下で撮像した分離2棒(CD=16nm)パターンの例を考察した。結果はSRAFが実際に撮像過程でより強力な実効単極収差を導入することを示した。しかし,各極からのBossung傾斜に及ぼす反対の影響は双極子照明を全体として改善した。SRAFの挿入により,全体のプロセスウィンドウに対して焦点深度が21%改善した。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  極端紫外線 ,  傾斜 ,  フォトマスク ,  回路パターン形成 ,  半導体プロセス ,  撮像 ,  収差 ,  *許容範囲 ,  焦点深度 ,  超解像
準シソーラス用語： Bossung傾斜 ,  *EUVリソグラフィー ,  *SRAF ,  *プロセスウィンドウ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： EUV ,  SRAF