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J-GLOBAL ID：201702229840952861   整理番号：17A1907765

透過性パルスレーザ照射により形成されたSi中のボイドの電子顕微鏡法

Electron microscopy of voids in Si formed by permeable pulse laser irradiation

著者 (3件)： IWATA Hiroyuki (Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN) ,  KAWAGUCHI Daisuke (Hamamatsu Photonics K.K., Iwata, JPN) ,  SAKA Hiroyasu (Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
資料名： Microscopy  (Microscopy)
巻： 66  号： 5  ページ： 328-336  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： W1384A  ISSN： 2050-5698  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・透過性レーザ照射によりSi中に形成された内部改質の包括的電子顕微鏡法調査。
・全てのレーザ改質体積でのボイド,高圧相,グライドセット転位および不動転位の観測。
・レーザーの入射面に最も近く形成され,周囲のマトリックスに相当量の非ダイヤモンドSi(DS)相が形成されるボイドと入射レーザの焦点で形成され,周囲のマトリックスには転位,亀裂および非DS相のいずれも観察されないボイドの確認。
・前者のボイド形成は,DSから非DSへの変換に起因する体積変化に対応するためであるが,後者のボイド形成を説明できないと結論。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *パルスレーザ照射 ,  *空孔欠陥 ,  改質 ,  相 ,  不動転位 ,  ダイヤモンド型結晶 ,  構造相転移 ,  体積 ,  電子顕微鏡観察 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  ダイヤモンド型構造 ,  高圧相 ,  体積変化 ,  内部改質

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (15件)：

• Ohmura E, Fukuyo F, Fukumitsu K, and Morita H (2006) Internal modified-layer formation mechanism into silicon with nanosecond laser. J. Achiev. Mater. Manuf. Eng. 17: 381-384.
• Shimamura K, Okuma J, Ohmura S, and Shimojo F (2012) Molecular-dynamics study of void-formation inside silicon wafers in stealth dicing. J. Phys.: Conf. Ser. 402: 012044.
• Verburg P C, Smillie L A, Römer G R B E, Haberil B, Bradby J E, Williams J S, and Huis in't Veld A J (2015) Crystal structure of laser-induced subsurface modifications in Si. Appl. Phys. A 120: 683-691.
• Ohmura E, Kumagai M, Fukumitsu K, Nakano M, Uchiyama N, and Morita H (2008) Internal modification of ultra thin silicon wafer by permeable pules laser. Seimitsu Kougakkaishi 74: 275-281. [in Japanese].
• Saka H (2016) Factors affecting the dissociation width of dissociated dislocations in FCC metals and alloys. J. Mater. Sci. 51: 405-424.

タイトルに関連する用語 (5件)： 透過性 ,  パルスレーザ照射 ,  Si ,  ボイド ,  電子顕微鏡法