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J-GLOBAL ID：201702233051418212   整理番号：17A0953330

効率的な赤色ルミネッセンスのための計算材料設計:EuおよびMgとOのドナー-アクセプター対を共ドープしたInGaN

Computational materials design for efficient red luminescence: InGaN codoped with Eu and the donor-acceptor pair of Mg and O

著者 (5件)： MASAGO Akira (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  UEMOTO Mitsuharu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  FUKUSHIMA Tetsuya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SATO Kazunori (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KATAYAMA-YOSHIDA Hiroshi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 2  ページ： 021001.1-021001.5  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系赤色発光ダイオード(LED)のホスト材料として,InGaNがGaNよりも優れていることを提案した。我々は以前の論文で,EuおよびMgとOの対の共ドープにより,GaN中に効率的な発光中心が生成することを提案した。これは,共ドープ法によって生成した量子ドット構造の量子閉じ込めによって引き起こされる。本報告では,InGaNは自発的な相分離によって,そのような電子構造を結晶全体に広げ得ることを示した。これは,自己組織化による作製や自己再生製品に使用することができる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *赤色光 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ドーピング ,  ユウロピウム ,  マグネシウム ,  酸素 ,  *発光中心 ,  量子閉込め ,  量子ドット ,  *相分離 ,  自己組織化 ,  *ドナー-アクセプタ対
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム ,  *共ドーピング

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (45件)：

• S. Morishima, T. Maruyama, M. Tanaka, Y. Masumoto, and K. Akimoto, Phys. Status Solidi A 176, 113 (1999).
• J. Heikenfeld, M. Garter, D. S. Lee, R. Birkhahn, and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 75, 1189 (1999).
• A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara, Appl. Phys. Express 2, 071004 (2009).
• H. Peng, C. Lee, H. O. Everitt, C. Munasinghe, D. S. Lee, and A. J. Steckl, J. Appl. Phys. 102, 073520 (2007).
• V. Kachkanov, M. J. Wallace, G. van der Laan, S. S. Dhesi, S. A. Cavill, Y. Fujiwara, and K. P. O'Donnell, Sci. Rep. 2, 969 (2012).

タイトルに関連する用語 (10件)： 赤色 ,  ルミネッセンス ,  計算 ,  材料設計 ,  Eu ,  Mg ,  ドナー ,  アクセプター ,  ドープ ,  InGaN