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J-GLOBAL ID：201702233225394785   整理番号：17A1465153

DCマグネトロンスパッタリングによるSi(001)上のGe薄膜のエピタキシャル成長【Powered by NICT】

Epitaxial growth of Ge thin film on Si (001) by DC magnetron sputtering

著者 (10件)： Otsuka Shintaro (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Mori Takahiro (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Morita Yukinori (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Uchida Noriyuki (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Liu Yongxun (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  O’uchi Shin-ichi (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Fuketa Hiroshi (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Migita Shinji (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Masahara Meishoku (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Matsukawa Takashi (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70  ページ： 3-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は滑らかな表面をもつSi(001)上のサブ10nm厚のヘテロエピタキシャルGe膜をDCマグネトロンスパッタリングにより得ることができることを示した。350°Cで成長させたGe膜は,0.39nmの粗さの二乗平均平方根(RMS)をもつ滑らかな表面を保持し,一方,500°Cで成長させたGe膜は島状形態と有意な粗さを示した。350°Cで成長した試料では,Ge膜は,断面透過型電子顕微鏡(TEM)とX線回折(XRD)ロッキングカーブ測定によりエピタキシャル成長させたことを確認した。720°Cで急速熱アニーリング(RTA)は結晶品質の改善に有効であると粗さの劣化は無視できた。RamanスペクトルとXRD逆格子空間マップは,350°Cで成長させたエピタキシャルGeは面内圧縮歪を示し,歪は720°CのRTAの後であり続けていることを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  ロッキングカーブ ,  *エピタクシー ,  RTA【熱処理】 ,  実効値 ,  *ゲルマニウム ,  X線回折 ,  Ramanスペクトル ,  圧縮歪 ,  逆格子空間 ,  結晶品質 ,  *直流マグネトロンスパッタリング

著者キーワード (3件)： ヘテロエピタキシャル成長 ,  ゲルマニウム ,  DCマグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： DCマグネトロンスパッタリング ,  Si ,  Ge ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長