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J-GLOBAL ID：201702236742952075   整理番号：17A1004523

Sillen-Aurivilliusペロブスカイトオキシハライドへの層挿入による価電子バンドエンジニアリング

Valence Band Engineering by a Layer Insertion to Sillen-Aurivillius Perovskite Oxyhalides

著者 (10件)： Kato Daichi (Graduate School of Engineering, Kyoto University) ,  Herve Cecile (Graduate School of Engineering, Kyoto University) ,  Herve Cecile (IUT de Lannion, Universite de Rennes 1) ,  Yamamoto Takafumi (Graduate School of Engineering, Kyoto University) ,  Kunioku Hironobu (Graduate School of Engineering, Kyoto University) ,  Higashi Masanobu (Graduate School of Engineering, Kyoto University) ,  Abe Ryu (Graduate School of Engineering, Kyoto University) ,  Abe Ryu (JST-CREST) ,  Kageyama Hiroshi (Graduate School of Engineering, Kyoto University) ,  Kageyama Hiroshi (JST-CREST)
資料名： Chemistry Letters  (Chemistry Letters)
巻： 46  号： 8  ページ： 1083-1085(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： S0742A  ISSN： 0366-7022  CODEN： CMLTAG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (A_0.6X)Bi₄(Nb_0.6W_0.4)O₈X(A=K,Rb,Cs及びX=Cl,Br)の構造的並びに光学的性質を研究した。Sillen-Aurivillius関連オキシハライドは約3.1eV(X=Cl)及び約2.8eV(X=Br)のバンドギャップをもつことが分かった。これは驚くべきことに典型的なBi₄NbO₈Clの2.4eVより大きい。A_0.6X層の挿入でのO-2p軌道の実質的な安定化を意味している。本研究からSillen-Aurivillius型化合物でのバンドギャップエンジニアリングの多様な可能性が示唆される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ペロブスカイト型結晶 ,  *酸塩化物 ,  *酸ハロゲン化物 ,  *価電子バンド ,  *カリウム化合物 ,  ルビジウム化合物 ,  セシウム化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  *ニオブ化合物 ,  *タングステン化合物 ,  バンドギャップ ,  安定化 ,  *光触媒 ,  可視スペクトル ,  紫外スペクトル ,  反射スペクトル ,  分解反応 ,  電子構造 ,  *結晶構造
準シソーラス用語： *酸臭化物 ,  紫外可視スペクトル ,  拡散反射スペクトル ,  水分解

著者キーワード (3件)： Mixed-anion compounds ,  Photocatalyst ,  Sillen-Aurivillius perovskite

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  光化学一般  (CB08010U)

引用文献 (17件)：

• 1) R. Abe, J. Photochem. Photobiol., C 2010, 11, 179.
• 2) A. Kudo, Y. Miseki, Chem. Soc. Rev. 2009, 38, 253.
• 3) G. Hitoki, T. Takata, J. N. Kondo, M. Hara, H. Kobayashi, K. Domen, Chem. Commun. 2002, 1698.
• 4) K. Maeda, K. Teramura, D. Lu, T. Takata, N. Saito, Y. Inoue, K. Domen, Nature 2006, 440, 295.
• 5) A. Ishikawa, T. Takata, J. N. Kondo, M. Hara, H. Kobayashi, K. Domen, J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 13547.

タイトルに関連する用語 (3件)： 層 ,  価電子バンド ,  エンジニアリング