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J-GLOBAL ID：201702238126514962   整理番号：17A1604155

金属Cd源を用いた気相エピタキシーによる(211)Si基板上のCdTeの直接成長

Direct Growth of CdTe on a (211) Si Substrate with Vapor Phase Epitaxy Using a Metallic Cd Source

著者 (6件)： ISO Kenji (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  ISO Kenji (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN) ,  GOKUDAN Yuya (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIRAISHI Masumi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  MURAKAMI Hisashi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KOUKITU Akinori (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 10  ページ： 5884-5888  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化カドミウム(CdTe)およびCdZnTeなどの関連化合物技術は,直接ワイドバンドギャップ(1.5eV)および高い平均原子質量数のため,高性能室温X線およびガンマ線検出器に大きな可能性をもたらした。本研究では,金属Cdと,有機金属化学物原料としてジイソプロピル-テルル化物(DiPTe)を用いて,(211)Si基板上に(422)エピタキシャルCdTe成長を行った。そして,エピタキシャルCdTe層が,グループII前駆体として金属カドミウム源を使用する気相エピタキシーを用いてSi(211)基板上で首尾よく成長した。600°C-650°Cの成長温度を採用した場合,(422)配向のCdTe単結晶が得られた。スキュー対称(422)および非対称(111)反射に対する,15.7μmの膜厚を有するエピタキシャルCdTe層のXRCのFWHMは,それぞれ528arcsecおよび615arcsecと小さかった。金属カドミウムを用いたVPEは,高い結晶品質と低コストの厚いCdTe膜を実現する可能性があることが示された。

シソーラス用語： *気相成長 ,  *ウエハ【IC】 ,  *テルル化カドミウム ,  カドミウム化合物 ,  テルル化物 ,  亜鉛化合物 ,  *化合物半導体 ,  *半導体放射線検出器 ,  *X線回折 ,  シリコンウエハ ,  テルル化亜鉛カドミウム ,  *ワイドギャップ半導体
準シソーラス用語： 気相エピタクシー ,  Si基板 ,  CdZnTe ,  *ワイドバンドギャップ半導体

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

物質索引 (1件)： ジイソプロピル

タイトルに関連する用語 (5件)： Cd ,  気相エピタキシー ,  Si基板 ,  CdTe ,  成長