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J-GLOBAL ID：201702238202102995   整理番号：17A1811045

p型ゲート集積AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの界面トラップ

Interface trap of p-type gate integrated AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors

著者 (1件)： KIM Kyu Sang (Sangji Univ., Gangwon, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 9  ページ： 091002.1-091002.5  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,周波数依存コンダクタンス法を用いて,ノーマリーオフモードp-(Al)GaN/AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)に対する,p-(Al)GaN/AlGaN界面におけるトラップ状態の影響を調査した。電流-電圧(I-V)測定から,p-AlGaNゲート集積デバイスは,p-GaNゲート集積デバイスと比較して,より高いドレイン電流と低いゲートリーク電流を有することが分かった。そして,最大6Vまでの順方向ゲート電圧の下で,p型ゲート集積HFETの界面トラップ密度および特性時定数を得た。その結果,p-GaNゲートデバイスの界面トラップ密度(特性時定数)は,p-AlGaNよりも低く(より長く)なった。さらに,解析の結果,p-GaNゲートデバイスのトラップ状態エネルギーレベルは,p-AlGaNゲートデバイスに対して浅いレベルに位置することが分かり,これにより,各デバイスの異なるゲートリーク電流を説明することができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *素子構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *キャリア捕獲 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  *ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  *界面トラップ ,  ゲートリーク電流

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

引用文献 (25件)：

• T. P. Chow and R. Tyagi, IEEE Trans. Electron Devices 41, 1481 (1994).
• M. Trivedi and K. Shenai, J. Appl. Phys. 85, 6889 (1999).
• W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, I. Omura, T. Ogura, and H. Ohashi, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2528 (2003).
• Y. Uemoto, M. Hikita, H. Ueno, H. Matsuo, H. Ishida, M. Yanagihara, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda, IEEE Trans. Electron Devices 54, 3393 (2007).
• C. S. Suh, A. Chini, Y. Fu, C. Poblenz, J. S. Speck, and U. K. Mishra, 64th Annu. Device Research Conf. (DRC), 2006, p. 163.

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  集積 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  界面トラップ