文献

J-GLOBAL ID：201702240255882040   整理番号：17A0953256

非対称デュアルゲートトンネルFETの2次元解析モデル

Two-dimensional analytical model for asymmetric dual-gate tunnel FETs

著者 (4件)： XU Hui Fang (Anhui Sci. and Technol. Univ., Anhui, CHN) ,  DAI Yue Hua (Anhui Univ., Anhui, CHN) ,  GUAN Bang Gui (Anhui Sci. and Technol. Univ., Anhui, CHN) ,  ZHANG Yong Feng (Anhui Sci. and Technol. Univ., Anhui, CHN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 1  ページ： 014301.1-014301.7  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,TFETと無接合電界効果トランジスタ(JL FET)とを組み合わせた非対称デュアルゲート(ADG)トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の解析モデルを紹介し,従来型DG TFETの課題を提起することを目的として,この論文で初めて広く検討した。ドレイン電流は,TFETのトンネリング電流とJL FETのドリフト拡散電流から成り,高いドレイン電流につながる。このモデルはまた,ソース電流およびドレイン電流に対するソースおよび真性領域の長さの影響を予測する。その結果は,ADG TFETが,従来のDG TFETと比較して最適な結果(オン状態電流I_onおよびon-off電流比I_on/I_offについて),129μA/μmのより高いI_on,およびソース領域および真性領域の最適化された長さがほぼ14nmである場合,2.1×10¹⁰のより大きなI_on/I_offが得られる。モデル計算とシミュレートされた結果との間に,電位およびドレイン電流の両方について非常に良好な一致が観察される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： トンネル効果 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *電流 ,  ドレイン【半導体】 ,  ゲート【半導体】 ,  バンド構造 ,  *解析モデル ,  表面電位
準シソーラス用語： トンネルFET ,  無接合FET ,  ドレイン電流 ,  拡散電流 ,  デュアルゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (37件)：

• S. Dash and G. P. Mishra, Superlattices Microstruct. 86, 211 (2015).
• R. Vishnoi and M. J. Kumar, IEEE Trans. Electron Devices 61, 2599 (2014).
• S. Dash and G. P. Mishra, Adv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol. 6, 035005 (2015).
• S. Dash, B. Jena, and G. P. Mishra, Superlattices Microstruct. 97, 231 (2016).
• E.-H. Toh, G. H. Wang, L. Chan, D. Sylvester, C.-H. Heng, S. S. Ganesh, and Y.-C. Yeo, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 2593 (2008).

タイトルに関連する用語 (5件)： 非対称 ,  デュアルゲート ,  トンネルFET ,  2次元 ,  解析モデル