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J-GLOBAL ID：201702242508644834   整理番号：17A1721428

AlNとGaNの選択エッチングのための分子ビームエピタクシーにより成長させたエピタキシャルScAlNエッチストップ層【Powered by NICT】

Epitaxial ScAlN Etch-Stop Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy for Selective Etching of AlN and GaN

著者 (6件)： Hardy Matthew T. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA) ,  Downey Brian P. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA) ,  Meyer David J. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA) ,  Nepal Neeraj (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA) ,  Storm David F. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA) ,  Katzer D. Scott (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
資料名： IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 30  号： 4  ページ： 475-479  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0521A  ISSN： 0894-6507  CODEN： ITSMED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNに存在する選択ドライエッチングが,他の従来のIII-Nエピタキシャル材料を持つヘテロ構造におけるAlNを選択的にエッチングすることは困難である。従来Cl_2/BCl_3/Ar誘導結合プラズマエッチングにおけるSc_xAl_1 xNへの2%~16%のスカンジウムの添加によるエッチング速度の減少を示した。平滑,エピタキシャルSc_xAl_1 xN層を4H-SiC基板上に直接RFプラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させた。AlNまたはGaN系ヘテロ構造中に成長させたときAlNに関してエッチ選択性は,それぞれ,x =0.02および0.16hで10.6及び11.2Sc_xAl_1 xNを可能にする最小不整合歪とエッチ停止層として作用すると高かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電磁結合 ,  *エピタクシー ,  スカンジウム ,  *MBE成長 ,  プラズマエッチング ,  *窒化アルミニウム ,  *選択腐食 ,  *窒化ガリウム ,  ドライエッチング ,  *エッチング
準シソーラス用語： 不整合歪 ,  RFプラズマ ,  4H-SiC ,  エッチング速度 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlN ,  GaN ,  選択エッチング ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  エピタキシャル ,  エッチ ,  ストップ層