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J-GLOBAL ID：201702244795489174   整理番号：17A1943196

フォトニック結晶深紫外LEDの実現-p型コンタクト層における高反射型フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率10%動作-

Achievement of AlGaN deep-UV LED using photonic crystal (PhC)-Achievement of high-EQE(10%) AlGaN deep-UV LED using highly-reflective PhC on p-contact layer-

著者 (15件)： 鹿嶋行雄 (丸文) ,  鹿嶋行雄 (理研) ,  前田哲利 (理研) ,  松浦恵里子 (丸文) ,  松浦恵里子 (理研) ,  定昌史 (理研) ,  岩井武 (東京応化工業 開発本部) ,  森田敏郎 (東京応化工業 開発本部) ,  小久保光典 (東芝機械) ,  田代貴晴 (東芝機械) ,  上村隆一郎 (アルバック 半導体電子技研) ,  長田大和 (アルバック 半導体電子技研) ,  倉島優一 (産業技術総合研 集積マイクロシステム研究セ) ,  高木秀樹 (産業技術総合研 集積マイクロシステム研究セ) ,  平山秀樹 (理研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 331(ED2017 49-71)  ページ： 55-60  発行年： 2017年11月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AlGaN系深紫外LEDは,p型コンタクト層での光取出し効率(LEE)が10%以下と低いことに起因して外部量子効率(EQE)が数%と未だ低い。今回,p型AlGaNコンタクト層に反射率90%以上の高反射型フォトニック結晶を形成することに成功してLEEを改善することにより,EQE10%を達成した。(著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *フォトニック結晶 ,  層 ,  P型半導体 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *効率 ,  量子効率
準シソーラス用語： *深紫外LED ,  コンタクト層 ,  *AlGaN ,  *光取出し効率 ,  外部量子効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (18件)：

• H. Hirayama, J. Appl. Phys. 97, 091101 (2005).
• M. Kneissl and J. Rass, III -Nitride Ultraviolet Emitters (Springer International Publishing, Cham, 2016).
• A. Fujioka, K. Asada, H. Yamada, T. Ohtsuka, T. Ogawa, T. Kosugi, D. Kishikawa, and T. Mukai, Semicond. Sci. Technol. 29, 084005 (2014).
• A. Fujioka, K. Asada, H. Yamada, T. Ohtsuka, T. Ogawa, T. Kosugi, D. Kishikawa, and T. Mukai, Proc. SPIE 9363, 93631L, (2015).
• Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, and T. Mukai, J. Phys. D43, 354002 (2010).

タイトルに関連する用語 (5件)： フォトニック結晶 ,  深紫外LED ,  コンタクト層 ,  AlGaN ,  外部量子効率