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J-GLOBAL ID：201702245753827117   整理番号：17A0955171

化学増感電子線レジストプロセスを用いた,7nmの1/4ピッチのライン・アンド・スペースパターン作製における光分解型クエンチャーの効果に関する理論的研究

Theoretical study on effects of photodecomposable quenchers in line-and-space pattern fabrication with 7 nm quarter-pitch using chemically amplified electron beam resist process

著者 (1件)： KOZAWA Takahiro (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4  ページ： 046502.1-046502.5  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 線幅粗さ(LWR)は,化学増幅型レジストの開発において重要な問題である。増感剤濃度の増加は,10nm以下の製造においてLWRを抑制するために不可避である。本研究では,7nmの1/4ピッチ(7nmのスペース幅と28nmのピッチ)のラインアンドスペースパターンを想定し,除外体積効果の観点から光分解性クエンチャーの効果を調べた。光分解性クエンチャーを用いた化学増幅電子線レジストのパターン形成を計算し,従来のクエンチャーと比較した。酸発生剤および消光剤の濃度(光分解可能または従来のものクエンチャー)は,光分解性クエンチャーを使用することによって,化学勾配(LWRのインジケーター)を低下させることなく減少させることができた。光分解可能なクエンチャーは,高分解能製造において必須であると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *増感 ,  *電子線レジスト ,  *幅 ,  光増感剤 ,  *消光剤 ,  光分解性高分子 ,  *光酸発生剤
準シソーラス用語： 化学増感 ,  線幅 ,  クエンチャー

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  反応操作(単位反応)  (XE01040I) ,  その他の高分子の反応  (CG03040H)

引用文献 (39件)：

• T. Higashiki, T. Nakasugi, and I. Yoneda, Proc. SPIE 7970, 797003 (2011).
• W. Zhou, G. Min, J. Zhang, Y. Liu, J. Wang, Y. Zhang, and F. Sun, Nano-Micro Lett. 3, 135 (2011).
• H. Lan and H. Liu, J. Nanosci. Nanotechnol. 13, 3145 (2013).
• G. M. Gallatin, Proc. SPIE 5754, 38 (2005).
• D. Van Steenwinckel, R. Gronheid, F. Van Roey, P. Willems, and J. H. Lammers, J. Micro/Nanolithogr. MEMS MOEMS 7, 023002 (2008).

タイトルに関連する用語 (10件)： 化学増感 ,  電子線レジスト ,  プロセス ,  ピッチ ,  スペース ,  作製 ,  光分解 ,  クエンチャー ,  理論 ,  研究